Nowa generacja Intel® Solid-State Drive Data Center P3700/P3600/P3500

Zapewnia stałą wydajność, ochronę i wysoką wytrzymałością, aby zaspokoić potrzeby HPC, Big Data, Cloud.

  • niskie opóźnienia i  spójne IOPS 2x wydajność odczytu i zapisu ponad 15x szybszy od poprzedniej generacji Intel SSD 710 Series ®.
  • szeroka oferta w pojemnościach 100-/200-/400-/800GB,
  • nowy dysk SSD zapewnia: wysoką wydajność, silną ochronę danych i wysoką wytrzymałość.

Intel® Solid-State Drive Data Center P3700 Series

1

Wydajność:

  • 2800/1700 MB/s (Read/Write)
  • 450/150K Random Read IOPS
  • 250K 4K 70/30 Read/Write Mixed Workload IOPS
  • 30/30µs sequential latency (Read/Write)

Bezpieczeństwo:

  • Integrated die parity protection (XOR)
  • Uncorrectable Bit Error Rate (UBER): 1 sector per 1017 bits read
  • Mean Time Between Failures (MTBF): 2,000,000 hours, 230 yrs

Trwałość:

  • Intel® 20nm MLC NAND with High Endurance Technology
  • 10 Full Capacity Drive Writes per Day over 5 years
  • Endurance manager

Pojemność:

  • 400/800 GB 1.6/2.0 TB
  • 2.5” x 15mm, 8639 compatible
  • Add-In-Card (AIC) 1/2H 1/2L card

Intel® Solid-State Drive Data Center P3600 Series

2

Wydajność:

  • 450/70K Random Read IOPS
  • 2500/1700 MB/s (Read/Write)
  • 30/30µs sequential latency (Read/Write)
  • 2TB, single volume

Bezpieczeństwo:

  • Integrated die parity protection (XOR)
  • Uncorrectable Bit Error Rate (UBER): 1 sector per 1017 bits read
  • Mean Time Between Failures (MTBF): 2,000,000 hours, 230 yrs

Trwałość:

  • Intel® 20nm MLC NAND with High Endurance Technology
  • 3 Full Capacity Drive Writes per Day over 5 years
  • Endurance manager

Pojemność:

  • 400/800 GB 1.2/1.6/2.0 TB
  • 2.5” x 15mm, 8639 compatible
  • Add-In-Card (AIC) 1/2H 1/2L card

Intel® Solid-State Drive Data Center P3500 Series

2

Wydajność:

  • 450K Random Read IOPS
  • 2500/850 MB/s (Read/Write)
  • 30/30µs typical latency (Read/Write)
  • 2TB, single volume

Bezpieczeństwo:

  • Integrated die parity protection (XOR)
  • Uncorrectable Bit Error Rate (UBER): 1 sector per 1017 bits read
  • Mean Time Between Failures (MTBF): 2,000,000 hours, 230 yrs

Trwałość:

  • Intel® 20nm MLC NAND with High Endurance Technology
  • 3 Full Capacity Drive Writes per Day over 5 years
  • Endurance manager

Pojemność:

  • 400/800 GB 1.2/1.6/2.0 TB
  • 2.5” x 15mm, 8639 compatible
  • Add-In-Card (AIC) 1/2H 1/2L card

Niskie koszty w stosunku do wydajności

  • Intel® 20nm MLC NAND with Standard Endurance
  • Low cost per IOP

 

Intel® SSD DC P3700 SeriesIntel® SSD DC P3600 SeriesIntel® SSD DC P3500 Series
pojemność2.0/1.6TB ; 800/400GB2.0/1.6/1.2TB ; 800/400GB2.0/1.6/1.2TB ; 800/400GB
interfejsPCIe* 3.0 x 4 (4GB/s) NVMePCIe* 3.0 x 4 (4GB/s) NVMePCIe* 3.0 x 4 (4GB/s) NVMe
64KB Sequential Read/Write Perf.2800/1700MBps2600/1700MBps2500/850MBps
4K Random Read/Write Perf.450/150K IOPS450/70K IOPS450/35K IOPS
4K 70/30 Mixed Read/Write Perf.250K IOPS160K IOPS80K IOPS
Average Latency (Read/Write)30/30µs30/30µs30/30µs
Data IntegrityEnd-to-end data protectionEnd-to-end data protectionEnd-to-end data protection
Warranty5 lat5 lat5 lat
TrwałośćHET, do 36.5PBW 10 DWPDMID, do 10.95PBW 3 DWPDSTD, do 1PBW 0.3 DWPD
Power Loss Protection Features & Self Testtaktaktak
Zapraszamy do kontaktu z działem handlowym.

, , , , ,

No comments yet.

Dodaj komentarz

 

Top
%d bloggers like this: