Rozwiąż najbardziej wymagające wyzwania związane z przechowywaniem danych oraz pamięcią elektroniczną dzięki dyskowi serii Intel^® Optane™ SSD DC P4800X/P4801X.

Każdego dnia ilość danych tworzonych na całym świecie eksploduje do nowych poziomów. Przedsiębiorstwa oraz dostawcy usług chmur prosperują dzięki tym danym podejmując ważne decyzje, zyskując nowe spostrzeżenia pochodzące z danych oraz różnicując usługi. Jednak dzisiejsze technologie przechowywania danych pozostawiają wolną przestrzeń pomiędzy poziomami przechowywania danych. DRAM jest zbyt drogi w stosunku jego do skalowania, a pomimo, że bramka NAND posiada odpowiednią przepustowość oraz strukturę kosztów dla skalowania, brakuje jej odpowiedniej wydajności do funkcjonowania, jako przestrzeń pamięciowa. Aby spożytkować tę przestrzeń, wymagane jest rozwiązanie zachowujące się, jak pamięć systemowa.

Łączy zalety pamięci i dysków służących do przechowywania danych

Intel^® Optane™ SSD DC P4800X jest pierwszym produktem łączącym atrybuty pamięci elektronicznej oraz dysku przechowującego dane. Dzięki najlepszej w branży kombinacji przepustowości, niskiemu opóźnieniu, wysokiej jakości usługi oraz ultra wysokiej wytrzymałości, to innowacyjne rozwiązanie jest zoptymalizowane do przebijania się przez wąskie gardła dostępu danych poprzez dostarczanie nowego poziomu przechowywania danych. Intel^® Optane™ SSD DC P4800X / P4801X przyśpiesza działanie aplikacji dla szybkiego zapisywania w pamięci podręcznej oraz szybkiego przechowywania danych, aby zwiększyć skalowanie na serwerze oraz zmniejszyć koszty transakcji dla obciążeń pracy zależnych od opóźnienia. Dodatkowo, Intel^® Optane™ SSD DC P4800X pozwala centrom danych na zastosowanie większych oraz tańszych zbiorów danych, aby uzyskać dokładniejsze analizowanie danych z dużych puli pamięci elektronicznych.

Wysoka przepustowość dla przełomowej wydajności

Uzyskaj przełomową wydajność aplikacji, stosując nośniki Intel^® Optane™ DC P4800X/P4801X. Są one zaprojektowane, aby zapewnić użytkownikowi aż do 6 razy wyższą wydajność przy obciążeniach roboczych o głębokich kolejkach,¹ jednocześnie wykazując bardzo wysoką przepustowość przy pojedynczym trybie dostępu i bardzo niskim opóźnieniu. Dyski SSD oparte na NAND są często mierzone przy zastosowaniu głębokości kolejki 32 (SATA) lub 128 (NVMe*), aby zaprezentować maksymalną przepustowość. Dyski Intel^® Optane™ DC P4800X/P4801X są w stanie osiągnąć nawet do 550.000 IOPS (operacji wejścia/wyjścia na sekundę) przy głębokości kolejki równej 16.² Opisana nowa technologia jest doskonale przystosowana do przyśpieszenia firmowych aplikacji do nowych, przełomowych poziomów wydajności.

Niskie opóźnienie: Szybki czas odpowiedzi pod obciążeniem

Dzięki nowemu poziomowi przechowywania danych stworzonemu poprzez technologię Intel^® Optane™, centra danych mogą stale uzyskiwać niesamowite czasy odpowiedzi w warunkach dowolnego obciążenia pracą. Poprzez dyski SSD oparte na bramce NAND, losowe operacje zapisywania wymagają ogromnej ilości zarządzania mediami w tle. Zadania te mogą powodować znaczące spowolnienia operacji odczytywania. Dysk Intel® Optane™ SSD DC P4800X/P4801X utrzymuje stałe czasy odpowiedzi odczytywania bez względu na przepustowość zapisywania zastosowaną dla napędu. Czasy odpowiedzi odczytywania utrzymują się poniżej <30μs, jednocześnie wytrzymując do 2GB/s nacisku zapisywania losowego.²

Przewidywalnie szybkie usługi: Jakość usług

W środowisku szybko nagromadzających się danych oraz szeroko zakrojonych potrzeb, centra danych muszą wykorzystywać rozwiązania, które umożliwiają przewidywalnie szybkie usługi. Dysk Intel^® Optane™ DC P4800X/P4801X jest idealny dla aplikacji krytycznych posiadających wysokie wymagania względem opóźnienia. Czas odpowiedzi odczytywania dysku w 99% jest 63x wydajniejszy niż dysku SSD opartego na bramce NAND o wysokiej wytrzymałości w warunkach dowolnego obciążenia pracą podczas zapisywania.³ Zoptymalizowany, aby zminimalizować opóźnienia w czasie dostępu do danych, dysk Intel^® Optane™ DC P4800X /P4801X osiąga szybszy czas wglądu w celu podejmowania decyzji.

Ultra wysoka wytrzymałość

Wytrzymałość ma wpływ na przewidywana trwałość oraz koszty przemysłowych dysków SSD. Dysk DC P4800X/P4801X został zaprojektowany z myślą o środowiskach dużego natężenia zapisywania i jest w stanie wytrzymać intensywny ruch zapisywania, który jest głównie wymagany od pamięci elektronicznej. Dzięki swojej wyjątkowo dużej wytrzymałości, trwałość dysku DC P4800X/P4801X została wydłużona, sprawiając, że jest on odpowiednim narzędziem dla aplikacji wykorzystujących proces intensywnego zapisywania, takich jak przetwarzanie transakcji elektronicznych, wysokowydajne wykonywanie obliczeń, zapisywanie w pamięci podręcznej bądź logowanie.

Zastosowania dla dzisiejszych centrów danych

Centra danych mogą wykorzystać dwa kluczowe zastosowania dysku DC P4800X: szybkie przechowywanie danych bądź pamięci podręcznej, lub pamięć rozszerzoną.
Szybkie przechowywanie danych bądź pamięci podręcznej odnosi się do poziomowania oraz warstwowania, które umożliwiają lepszą hierarchię pamięci-do-przechowywania danych. Dysk DC P4800X dostarcza nowy poziom przechowywania danych, który przebija się przez wąskie gardła tradycyjnego przechowywania danych opartego na bramce NAND, w celu przyśpieszenia działania aplikacji oraz umożliwienia wykonania większej pracy przez serwer.

Zastosowanie pamięci rozszerzonej pozwala dyskowi Intel^® Optane™ SSD na uczestniczenie w puli pamięci udostępnionej z DRAM na poziomie OS bądź aplikacji umożliwiając wykorzystanie większej ilości pamięci lub pamięci tańszej. Większa ilość pamięci w ogromny sposób zwiększa rozmiar „działających zestawów”, aby umożliwić wgląd do danych w powiększających się segmentach, takich jak obliczenia naukowe, służba zdrowia oraz pojazdy autonomiczne. Tańsza pamięć oznacza, że centra danych mogą wykorzystywać dyski Intel^® Optane™ SSD, aby przemieścić nieco zasobów DRAM.

Technologia Intel^® Optane™

Technologia Intel^® Optane™ jest unikatową kombinacją nośników pamięci 3D XPoint™ oraz zaawansowanego sterownika pamięci systemowej stworzonego przez Intel, interfejsem sprzętowym oraz adresem IP oprogramowania. Ta rewolucyjna technologia jest oferowana w kilku wariantach, aby uwolnić ogromną wydajność systemu w serii produktów.

Dyski Intel^® Optane™ DC P4800X/P4801X, oraz rewolucyjna technologia Intel^® Optane™ dostarcza nieporównywalną kombinację wysokiej przepustowości, niskiego opóźnienia, wysokiej jakości usług oraz ultra wysokiej wytrzymałości.

Dostarczamy większe, bardziej przystępne cenowo rozwiązania dotyczące zasobów pamięci

Technologia Intel^® Memory Drive w przejrzysty sposób integruje dyski Intel^® Optane™ SSD jako podsystemowe zasoby pamięci.

Technologia Intel^® Memory Drive może zrewolucjonizować architekturę twojego centrum przetwarzania danych. W połączeniu z dyskami Intel^® Optane™ SSD technologia Intel^® Memory Drive w przejrzysty sposób integruje dysk twardy jako podsystemowy zasób pamięci oraz sprawia, że jest on rozpoznawany przez system operacyjny oraz aplikacje jako DRAM. Czynność ta pozwala na zwiększenie zasobów pamięci ponad ograniczenia DRAM bez wprowadzania zmian do systemu operacyjnego czy aplikacji.

Technologia Intel^® Memory Drive jest nadzwyczajnie korzystna i stosowana do dwóch podstawowych celów:

• Do zamiany części bardziej kosztownego DRAM-u, stosowanej, aby obniżyć całkowite koszty przeznaczone na pamięć.
• Do rozszerzenia zasobów pamięci poza pojemność DRAM, aby uzyskać dostęp do o wiele większych zbiorów danych umieszczanych w pamięci lub umożliwić korzystanie z nich.

Zamień kosztowny DRAM na bardziej przystępną cenowo pamięć

Technologia Intel^® Memory Drive umożliwia tworzenie centrów przetwarzania danych, które wykorzystują bardziej przystępne cenowo zasoby pamięci poprzez zamianę części drogiego DRAM-u o wyższych parametrach. Poprzez połączenie mniejszej ilości DRAM-u i uzupełnienie tej pojemności za pomocą wysoce efektywnej, trwałej pamięci dysków SSD Intel^® Optane™ DC P4800X centra danych mogą w oszczędny sposób radzić sobie z intensywnym obciążeniem roboczym, wykorzystując mniejszą zainstalowaną pojemność DRAM-u, generując oszczędności przy zakupie sprzętu oraz zmniejszając koszty operacyjne.

Rozbuduj pamięć, by zwiększyć zasoby wykorzystywane przez oprogramowanie

Technologia Intel^® Memory Drive pozwala centrom danych na zwiększenie zasobów pamięci wykorzystywanych przez oprogramowanie poza pojemność DRAM-u. Pamięć DRAM wraz z dyskami SSD Intel^® Optane™ emuluje pojedynczy zasób pamięci nietrwałej. Ponadto, technologia Intel^® Memory Drive w inteligentny sposób wybiera, gdzie dane powinny zostać umieszczone w zasobach pamięci, aby zmaksymalizować prędkość, zapewniając serwerom skuteczną pracę z wieloma źródłami obciążenia roboczego – nawet kiedy DRAM stanowi jedynie jedną trzecią bądź nawet jedną ósmą całkowitej pojemności zasobów pamięci.

Otwórz nowe możliwości dla przedsiębiorstw

Połączenie efektywności kosztowej ze zwiększoną pojemnością umożliwia przedsiębiorstwom przebicie się przez aktualne ograniczenia dotyczące pamięci, otwierając w ten sposób nowe możliwości – na przykład dostęp do zbiorów danych o większym rozmiarze, przechowywanych wewnątrz pamięci, aby umożliwić szybszą analizę danych. Przykładowo, dostawcy rozwiązań typu chmura mogą obniżyć koszty kapitałowe pamięci, kiedy uzyskają możliwość przekroczenia założonej subskrypcji obciążenia roboczego dzięki większej pojemności całkowitej, lub także w przypadku centrów obliczeniowych o wysokiej wydajności, które mogą powiększyć zbiory danych zajmujących duże obszary pamięci, aby usprawnić badania, uzyskać lepsze wyniki przedsięwzięć naukowych i przetestować nowe symulacje w sposób szybki i efektywny kosztowo.

Efektywność kosztowa i całkowite generowane oszczędności

Technologia Intel^® Memory Drive pozwala centrom danych stosować taką samą ilość pamięci o znacznie obniżonych kosztach w porównaniu do instalacji składających się z samego DRAM-u lub też alternatywnie uzyskać o wiele większe ilości pamięci, które przekraczają praktyczne ograniczenia pamięciowe danego serwera wykorzystującego jedynie DRAM.

Wykres umieszczony po prawej stronie porównuje koszt zestawu KVM + Redis Virtual Machine (VM – maszyna wirtualna), który wykorzystuje strukturę:

• Podwójnego procesora oraz 192 GB DRAM-u.
• Konfiguracji z takim samym podwójnym procesorem, 192 GB DRAM-u, wzbogaconej o technologię Intel^® Memory Drive, pozwalającej na rozszerzenie zasobów pamięci do całkowitej ilości równej 768 GB.
• Z zachowaniem takiej samej konfiguracji serwera, rozszerzenie całkowitej pamięci systemu wykorzystywanej przez oprogramowanie przy zastosowaniu technologii Intel^® Memory Drive, co pozwala na zmniejszenie kosztów w przeliczeniu na jedną maszynę wirtualną, które sięga ponad 50% w porównaniu do mniejszego zestawu korzystającego jedynie z DRAM-u.

Sprawdź naszą ofertę:

Seria Intel® Optane™ SSD DC P4800X Memory Drive Technology
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (1.5TB, 1/2 Height PCIe x4, 3D XPoint™) Memory Drive Technology 1.5 TB Pojemność HHHL (CEM3.0) Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	Skontaktuj się z działem handlowym
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (1.5TB, 2.5in PCIe x4, 3D XPoint™) Memory Drive Technology 1.5 TB Pojemność U.2 15mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	Skontaktuj się z działem handlowym
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (750GB, 1/2 Height PCIe x4, 3D XPoint™) Memory Drive Technology 750 GB Pojemność HHHL (CEM3.0) Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	Skontaktuj się z działem handlowym
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (750GB, 2.5in PCIe x4, 3D XPoint™) Memory Drive Technology 750 GB Pojemność U.2 15mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	Skontaktuj się z działem handlowym
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (375GB, 1/2 Height PCIe x4, 3D XPoint™) Memory Drive Technology 375 GB Pojemność HHHL (CEM3.0) Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfej	Skontaktuj się z działem handlowym
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (375GB, 2.5in PCIe x4, 3D XPoint™) Memory Drive Technology 375 GB Pojemność U.2 15mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	Skontaktuj się z działem handlowym

Seria Intel® Optane™ SSD DC P4800X
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (1.5TB, 1/2 Height PCIe x4, 3D XPoint™) 1.5 TB Pojemność HHHL (CEM3.0) Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfej	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (1.5TB, 2.5in PCIe x4, 3D XPoint™) 1.5 TB Pojemność U.2 15mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (750GB, 1/2 Height PCIe x4, 3D XPoint™) 750 GB TB Pojemność HHHL (CEM3.0) Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfej	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (750GB, 2.5in PCIe x4, 3D XPoint™) 750 GB Pojemność U.2 15mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (375GB, 1/2 Height PCIe x4, 3D XPoint™) 375 GB TB Pojemność HHHL (CEM3.0) Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfej	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4800X (375GB, 2.5in PCIe x4, 3D XPoint™) 375 GB Pojemność U.2 15mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	KUP TERAZ

Seria Intel® Optane™ SSD DC P4801X
	Intel® Optane™ SSD DC P4801X (375GB, M.2 110MM PCIe x4, 3D XPoint™) 375 GB Pojemność M.2 22 x 110mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4801X (200GB, M.2 110MM PCIe x4, 3D XPoint™) 200 GB Pojemność M.2 22 x 110mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4801X (100GB, 2.5in PCIe x4, 3D XPoint™) 100 GB Pojemność U.2 15mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	KUP TERAZ
	Intel® Optane™ SSD DC P4801X (100GB, M.2 110MM PCIe x4, 3D XPoint™) 100 GB Pojemność M.2 22 x 110mm Standard konstrukcji PCIe NVMe 3.0 x4 Interfejs	KUP TERAZ

1. Source – Intel-tested: 4K 70/30 RW Performance at Low Queue Depth. Measured using FIO 3.1. Common Configuration – Intel 2U Server System, OS: CentOS 7.5, Kernel 4.17.6-1.el7.x86_64, CPU 2 x Intel® Xeon® 6154 Gold @ 3.0GHz (18 cores), RAM 256GB DDR4 @ 2666MHz. Configuration – Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375GB compared to *Intel® SSD DC P4600 1.6TB. Intel Microcode: 0x2000043; System BIOS: 00.01.0013; ME Firmware: 04.00.04.294; BMC Firmware: 1.43.91f76955; FRUSDR: 1.43. The benchmark results may need to be revised as additional testing is conducted. Performance results are based on testing as of November 15, 2018 and may not reflect all publicly available security updates. See configuration disclosure for details. No product can be absolutely secure.
2. Intel drive evaluated – Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375GB. Test and System Configuration: CPU: Intel® Xeon® E5-2687W v4 3.0GHz 30MB 160W 12 cores, CPU Sockets: 2, RAM Capacity: 32GB, RAM Model: DDR4 2133MHz, PCIe Attach: CPU (not PCH lane attach), Chipset: Intel C610 chipset, BIOS: SE5C610.86B.01.01.0024.021320181901, Switch/ReTimer Model/Vendor: Intel A2U44X25NVMEDK, OS: CentOS 7.3.1611, Kernel: 4.14.50, FIO version: 3.5; NVMe Driver: Inbox, C-states: Disabled, Hyper Threading: Disabled, CPU Governor (through OS): Performance Mode; EIST (Speed Step): Disabled, Intel Turbo Mode: Disabled, P-states = Disabled; IRQ Balancing Services (OS) = Off; SMP Affinity, set in the OS; QD1 utilizes I/O Polling Mode. Performance results are based on testing as of August 31, 2018 and may not reflect the publicly available security updates. See configuration disclosure for details.
3. Source – Intel-tested: Response Time refers to average read latency measured at queue depth 1 during 4K random write workload using FIO 3.1. See configuration in Footnote 1 above.
Intel technologies’ features and benefits depend on system configuration and may require enabled hardware, software or service activation. Performance varies depending on system configuration. No computer system can be absolutely secure. Check with your system manufacturer or retailer or learn more at intel.com.
Software and workloads used in performance tests may have been optimized for performance only on Intel microprocessors.
Performance tests, such as SYSmark and MobileMark, are measured using specific computer systems, components, software, operations and functions. Any change to any of those factors may cause the results to vary. You should consult other information and performance tests to assist you in fully evaluating your contemplated purchases, including the performance of that product when combined with other products. For more complete information visit www.intel.com/benchmarks.
The products described in this document may contain design defects or errors known as errata which may cause the product to deviate from published specifications. Current characterized errata are available on request. No product or component can be absolutely secure.